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反向电流是由什么形成的

于二极管来说,漏电流是PN结在电压反偏置时通过二极管的电流.半导体物理释义 流过处于反向工作的pn结的微小电流称为反向漏电流.PN结工艺 理想pn结反向漏电流中还包括体内扩散电流与空间电荷区产生电流两部分,硅pn结空间电荷区产生电流起支配作用.反向漏电流的大小与组成pn结的半导体材料禁带宽度呈指数关系,反向漏电流中还包括表面漏电流,表面漏电流的大小与pn结制作工艺密切相关.

反向电流是电感反电动势产生的.比如传统半导体最前端的高放管容易损坏,就因为接收线圈的电感直接威胁高放管.截止电压除与电源电压有关,还与电感量有关.

跟Vd有关是因为随着反向电压的增大,势垒抬高,耗尽层变宽,所以被反向抽走的电子和空穴就会增加,所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定.但是对于硅pn结,反向饱和电流一般在10e-14A~10e-10A,一般都很小,即使有所增大也不会达到质的变化.所以可称为饱和,饱和的含义就是再怎么增大电压,电流增大的不多的意思.当然和温度有关,因为所有的半导体的性质都和温度有关,这个就不必说了,呵呵.具体的公式和详细的解释可以参考《半导体物理》和《晶体管原理》等书.

1.二极管是一种具有单向导电的二端器件.2.外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流.由于反向电流很小,二极管处于截止状态.这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大.3.外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿.引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压.电击穿时二极管失去单向导电性.如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被永久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了.因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高.

少子的漂移

:生产的时候反向电流的光源很多"意思我不怎么明白1,晶片极反(无zener)可能导致反向电流点亮2,静电击穿不知道我理解的意思对不对!

电子、载流子的不规则运动都会产生电路噪声,只要电路工作就会有噪声.相对来讲大功率二极管在反相击穿后产生的电流噪声较大,其实说穿了就是不规则运动加剧了.

当电路构成一个闭合的回路,并且回路中具有激励时,即可产生电流.另外,当有电容存在的情况下,还有位移电流存在(即电容充电时的电流).它区别于一般的传导电流.

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