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半桥自举驱动电路

一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路,包括:开通回路、放电回路、加速回路、MOS管、第九电阻、第十一电阻;所述加速回路有第二电阻与第一电容串联组成,所述加速回路一端连接在PWM信号端,另一端与开通回路相连,开通回路经第九电阻与放电回路相连,放电回路经第十一电阻连接在MOS管的漏极.本实用新型通过R2,C1组成的脉冲边沿加速电路使得驱动电路可提供更大的瞬间输出电流,显著缩短功率管开通时间,减小了功率管开关损耗;在保证高速驱动的同时,整个驱动电路的电流消耗由常见的8mA减小为小于2.5mA,约3倍改善;而且由于功耗减小,自举供电电容容量可大幅减小,自举二极管可选择电流额定值更小的二极管,使得成本得以降低.

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1. 半桥全桥的驱动电路是使功率管产生交流电的触发信号,并不是将交流信号变直流信号.2. 即使单片机可以输出直流信号,但是它的驱动能力也是有限的,所以单片机一般做驱动信号,驱动大的功率管,来产生大电流从而才能驱动电机

1. 半桥全桥的驱动电路是使功率管产生交流电的触发信号,并不是将交流信号变直流信号.2. 即使单片机可以输出直流信号,但是它的驱动能力也是有限的,所以单片机一般做驱动信号,驱动大的功率管,来产生大电流从而才能驱动电机

半桥驱动电路和半桥整流电路都可以称为半桥电路.半桥驱动指的是上下两个部件交替输出的电路.如图1.半桥整流指的是只对半波整流.如图2.

不行.因为上桥臂的MOS管要饱和导通,必须要在门极与源极间加一个适当的电压.一般约10V左右,才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值.此电压高一点其内阻会小一点,但太高则会损坏MOS管.当上桥臂MOS管导通时,其内阻Rds很

1、半桥逆变电路的等效电路:向左转|向右转2、半桥逆变电路的工作原理:上图中,A、B分别为两个半桥中点,uAB是它们之间的电压,R是等效电阻,L为扼流电感,LC构成串联谐振电路,将uAB的方波输入转变为C两端的近似正弦波,完成了逆变过程.3、典型电子日光灯电路中的应用:向左转|向右转 图中L2、C6、RLA,就是半桥逆变电路,灯管等效电阻是由灯管电压和灯管电流决定.左侧电路将直流电转换成方波(为了顺利起振和持续振荡,电路比较复杂),由高频变压器提供半桥中点,由C7、C8组成无源半桥中点,实现了由直流到交流的逆变

简介半桥电路包括用于驱动各个下部晶体管(T1)和上部晶体管(T2)的低端驱动模块(110)和高端驱动模块(210).每个驱动模块(110,210)是电荷俘获电路,其中低端驱动模块(110)用电容性负载(C)上的电荷驱动低端晶体管(T1),以及高端驱动模块(210)在它被高电压源驱动时交替地重新充电该电容性负载(C).每个电荷俘获电路(110,210)还包括二极管(D1,D2),它阻止在被驱动的晶体管(T1,T2)的栅极上电荷的非故意损失,以及包括齐纳二极管(Z1,Z2),它把栅极电压箝位在安全电平.这样,半桥电路被有效地驱动,而不需要辅助电源.

一上电就发烫,从现象看应该是短路了,你能把你具体电路连接图,外加元件参数发来看看么,这样我能比较准确的找出问题

无论MOSFET还是IGBT都需要驱动,十几安培以上的管子最好用驱动光偶,200A以上的器件要用驱动IC或驱动板.桥臂的上下驱动电路之间要电气隔离.

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