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pn结是动态结还是静态结

pn结和pin结是两种最基本的器件结构,也是两种重要的二极管.从结构和导电机理上来说,它们有许多共同点,但是也存在不少的差异.l 相同点:(1)都存在空间电荷区和势垒区,则都有势垒电容;(2)都具有单向导电性和相应的整流作用

耗尽层 电中性 空间电荷区 由n区指向p区

所谓pn结,是指一块半导体单晶,其中一部分是p型区,其余部分是n型区.p型区和n型区的交界面称为结面.

首先你要知道pn结是由p型半导体和n型半导体接触形成的.结深这个概念主要在太阳能电池的pn结里面提到的比较多,因为晶体硅电池的pn结是在p型沉底的硅片

正向电压就是PN结的P侧接电源的正极,N侧接电源的负极; PN结就是P型半导体与N型半导体通过工艺结合一起,结合部就形成PN结,外接正向电压PN结呈低阻导通,外接反向电压PN结呈高阻不通

二极管PN结,扩散运动与漂移运动的区别:“扩散运动”,是由于P区的多数载流子空穴的浓度大于N区,而出现空穴向N区;同理,由于N区的多数载流子电子的浓度大于P区,而出现电子向P区;“漂移运动”,在以上扩散的同时,在PN结处形成自建电场E ,在E 的作用下,使载流子漂移.且漂移的方向与上面扩散的方向相反.最后,在热平衡状态下的PN结,载流子的扩散与漂移相互抵消.所以说区别是:扩散是由于浓度差异使然;漂移是由于存在电场使然.(供讨论)这个估计需要详细的说明才弄的了去硬之城看看吧或许有人会.

Pn结:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将p型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结.工作原理:n型半导体中有大量的自由电子,而p型半导体中有大量的自由空穴.在零偏置时,没有电荷的定向移动.正向偏置电压v使得两种材料的费米能级分离.正向偏置电压增加了n区势能,降低了p区势能,从而使势垒降低.如果外电源提供的能量(ev)与禁带宽度Wg相同,则自由电子和自由空穴将有足够的能量进入结区.当自由电子与自由空穴在结区相遇时,自由电子将落到价带与空穴复合.在跃迁过程中,电子损失的能量将以发射一个光子的形式转变成光能.简单说:LED的辐射是在正向偏置条件下注入结区的电子和空穴复合而产生的.

一边参杂p元素一边参杂n元素的半导体

由于p内的空穴与n内的自由电子复合,只剩下不动子,(p内的不动子带负电,n内的带正电)如此,自然是由n指向p了.

我们都知道pn结具有单向岂不是集电极与发射极是相连的? 好吧,看这里,其实不是普通的2个PN先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,

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