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pn结概念

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点.

PN结的形成 (1)当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ,这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 .但是,电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件

PN结(PN junction).采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点.一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结.PN结有同质结和异质结两种.用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结.可参见http://baike.baidu.com/view/49290.htm

在一片完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使某一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么就在两种半导体交界面就形成了PN结:PN皆有单向导电的特性,即:争相导通,反向截止

二级管或者三级管(晶体管)上的重要部分,通常是在一块N型(P型)半导体的局部再掺入浓度较大的三价(五价)杂质,使其变为P型(N型)半导体,在P型半导体和N型半导体的交界面就形成了一个特殊的薄层,称为PN结

达到平衡后,就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差,这就是PN结

+ P-N - 孔穴>E P的多子是空穴带+电荷N的多子是电子带-电荷所谓PN结即P型半导体和N型半导体结合处由于各自多子扩散到对方被复合后产生的一个很薄的空间电荷区,也叫耗尽层,即PN结,所以扩散运动越强,空间电荷区越宽,即PN结越宽.

pn结 采用不同的掺杂工艺,将p型半导体与n型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称pn结.pn结具有单向导电性. pn结 (pn junction) 一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是p型半导体,另一部分掺有施主杂

PN结: 通过特殊的“扩散”制作工艺,将一块本征半导体的一半掺入微量的三价元素、变成P型半导体,而将其另一半掺入微量的五价元素、变成N型半导体,在P型半导体区和N型半导体区的交界面处就会形成一个具有特殊导电性能的薄层,这就是PN结,它对P型区和N型区中多数载流子的扩散运动产生了阻力.

首先你要知道pn结是由p型半导体和n型半导体接触形成的.结深这个概念主要在太阳能电池的pn结里面提到的比较多,因为晶体硅电池的pn结是在p型沉底的硅片

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