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pn结空间电荷区的形成过程

p型半导体和n型半导体接触面形成pn结,p区中有大量空穴流向n区并留下负离子,n区中有大量电子流向p区并留下正离子(这部分叫做载流子的扩散),正负离子形成的电场叫做空间电荷区,正离子阻碍电子流走,负离子阻碍空穴流走(这部分叫做载流子的漂移),载流子的扩散与漂移达到动态平衡,所以pn结不加电压下呈电中性.

在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子

从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.

漂移电流是 在没有电场作用时,半导体中载流子在运动中不时遭到散射作杂乱无章的热运动,并不形成电流.当有电场存在时,使所有载流子沿电场力方向作定向运动.这种载流子在热运动的同时,由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动.

一般说明.P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂移,漂移的方向正与以上扩散的方向相反.平衡时,载流子的漂移与扩散相等,自建电场区没有载流子,称之为空间电荷区.这样,PN结就形成了.当接上正向电压,削弱了自建电场,使载流子沿扩散的方向持续运动,就有了正向导通电流;当接上反向电压,相当于增强了自建电场,使载流子(少子)沿漂移的方向运动,漂移的电流很小,等同于反向截止.这就是PN结的原理.

二级管或者三级管(晶体管)上的重要部分,通常是在一块N型(P型)半导体的局部再掺入浓度较大的三价(五价)杂质,使其变为P型(N型)半导体,在P型半导体和N型半导体的交界面就形成了一个特殊的薄层,称为PN结

应该是没错的.空间电荷区是由正负离子形成,阻止了空穴跟电子的扩散运动..所以电阻率高.应该可以这么理解.

是,因为空间电荷区没有载流子,所以电阻率很高.

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