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pn结的基本特征

1、采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结.2、PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二

1.pn结的基本特性:从PN结的形成原理可以看出,要想让PN结导通形成电流,必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力.很显然,给它加一个反方向的更大的电场,即P区接外加电源的正极,N区结负极,就可以抵消其内部自建电场,使载流子

在一片完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使某一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么就在两种半导体交界面就形成了PN结:PN皆有单向导电的特性,即:争相导通,反向截止

从PN结的形成原理可以看出,要想让PN结导通形成电流,必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力.很显然,给它加一个反方向的更大的电场,即P区接外加电源的正极,N区结负极,就可以抵消其内部自建电场,使载流子可以继续运动,从而

PN结有三个特性:1、正向导通,反向截止!当正向电压达到一定值时(硅管0.7V,锗管0.3V)左右时,电流随电压成指数变化.与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的.2、有两种载流子,即电子和空穴.3、受

pn结具有单向导电性

1、单向导电性,正向导通,反向截止!当正向电压达到一定值时(硅管0.7V,锗管0.3V)左右时,电流随电压成指数变化.与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的.2、有两种载流子,即电子和空穴.3、受温度影响比较大,因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度,因此设计或者运用时常需要考虑温度问题.

PN结的特点就是单项导电性,常用的有: 整流二极管、检波二极管、光敏二极管、发光二极管、恒流二极管、稳压二极管等.

pn结正向存在一个导通电压,反向存在一个击穿电压,所加正向电压小于导通电压时pn结呈现很大的电阻,即通过的电流很小,一旦高于导通电压,正向电流迅速增加;在反向时同样在所加反向电压小于击穿电压时,反向电流很小,当一旦高于击穿电压时,反向电流即迅速增加.从pn结的电流电压关系图上可以清楚看出两者的图形变化“相似”,区别在于正向的导通电压很低,硅半导体构成的pn结导通电压在0.7v左右,锗管的约为0.4v;而反向击穿电压一般数值都高于导通电压.

PN结的导电特性本身就随温度变化.尤其是高温时,其反向漏电流随着温度的升高大大增加.硅管每升高8摄氏度,反向电流就增加一倍;锗管每升高12摄氏度,反向电流就增加一倍.在测试过程中,如果温度过高,当反向电流和反向电

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